u

   Русский/English

Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН проводит фундаментальные и прикладные научные исследования в области физикохимии и технологии высокочистых веществ и материалов, неорганической, физической и аналитической химии и в смежных областях науки.

Основные направления деятельности:
• развитие научных основ процессов разделения смесей и получения высокочистых веществ;
• разработка методов глубокой очистки веществ различных химических классов;
• развитие методов анализа высокочистых веществ;
• получение, анализ и исследование свойств высокочистых веществ, в том числе моноизотопных;
• создание новых материалов на основе высокочистых веществ;
• разработка научных основ технологии высокочистых веществ и материалов, функциональных устройств из них.

Оценка результативности деятельности ИХВВ РАН в 2013-2015 гг.

Новости

06.07.2017.Утвержден Перечень программ фундаментальных исследований РАН по приоритетным направлениям, определяемым президиумом РАН на 2018 год, их координаторов и распределение финансирования http://www.ras.ru/presidium/documents/directions.aspx?ID=ebe6f5d7-ee95-480f-9ed1-f38397f58df9.


05.07.2017.. Подведены итоги работы ИХВВ РАН за первое полугодие 2017 г. В соответствии с планом НИР и Госзаданием на 2017 год выполнялись работы по 16 темам НИР по Программе фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы и по 6 проектам Программ Президиума РАН. Выполнялись 11 проектов РФФИ и 5 проектов РНФ. Опубликовано 32 статьи и 8 трудов конференций. Получено 3 патента, направлено 2 заявки на выдачу патента на изобретение.Работы института были представлены на Международной специализированной выставке лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики 2017» и Выставке «Наука для промышленности» в рамках совещания «Итоги работы промышленности области в 2016 году и задачи на 2017 год».


28.06.2017.. Нижегородские ученые приняли участие в митинге «За увеличение бюджетного финансирования науки», организованный Профсоюзом работников РАН в Москве. http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=1302c77d-8ba0-40c4-a282-72b8c3cd55d4#content


20.06.2017.. Российское химическое общество им. Д.И. Менделеева, Российский союз химиков и Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева приглашают Вас принять участие в XI КОНКУРСЕ ПРОЕКТОВ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ, который пройдет в рамках Международной выставки химической промышленности и науки «Химия-2017» (23-26 октября 2017 г., ЦВК «Экспоцентр», Москва).


31.05.2017. Совет молодых ученых РАН приглашает принять участие в Третьем междисциплинарном молодежном научном форуме с международным участием  «Новые материалы» ( www.n-materials.ru ), который пройдет в Москве с  21 по 24 ноября 2017   г .

 

24.05.2017 в Нижнем Новгороде отметили 40-летие Института прикладной физики РАН. Поздравляем наших коллег с юбилеем! материал на портaле "Научная Россия"

07.04.2017. Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН приглашает принять участие в работе  XIV Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов "ФИЗИКО-ХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ" с международным участием , которая состоится с 17 октября по 20 октября 2017 г. в г. Москва, ИМЕТ РАН.%

 3.04.2017. м Оргкомитет XIV Китайско-Российского Симпозиума «Новые материалы и технологии» приглашает принять участие в работе Симпозиума, который состоится с 28 ноября по 1 декабря 2017 г. в г.Санья, о.Хайнань, Китай.%

10.03.2017. Экспозиция Института химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН была представлена на международной специализированной выставке лазерной оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики 2017» 28 февраля – 3 марта 2017 г. в Москве, ЦВК «Экспоцентр». Большой популярностью пользовались разработки ученых института: материалы для перестраиваемых ИК-лазеров на основе халькогенидов цинка, легированных переходными металлами; высокочистые стекла и световоды для среднего ИК-диапазона; оптическая керамика на основе алюминия, магния и редкоземельных элементов; волоконный световод на основе кварцевого стекла, легированного эрбием и висмутом.

07.03.2017. Российский научный фонд объявил о новых конкурсах для молодых ученых http://rscf.ru/ru/contests

28.02.2017. Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН приглашает принять участие в работе Третьей Всероссийской молодежной научно-технической конференции "ИННОВАЦИИ В МАТЕРИАЛОВЕДЕНИИ", которая состоится с 5 по 8 июня 2017 г. http://inmat.imetran.ru/.

20.02.2017. Завершилось выдвижение кандидатов на должность президента Российской академии наук. Большинство отделений сделало выбор в пользу действующего президента РАН В.Е. Фортова. Отделением глобальных проблем и международных отношений выдвинут председатель Совета РФФИ, директор Института проблем лазерных и информационных технологий РАН академик В.Я. Панченко. Еще одно место в списке претендентов занял директор Института молекулярной биологии им. В.Я. Энгельгардта РАН академик А.А. Макаров, выдвинутый Отделением медицинских наук. Выборы состоятся 20 марта 2017 г.

30.01.2017. Организационный комитет «Менделеев-2017» приглашает принять участие в X Международной конференции молодых учёных по химии. Конференция будет проходить на базе Санкт-Петербургского государственного университета 4–7 апреля 2017 г. Приглашаются студенты, аспиранты и молодые учёные (не старше 35 лет) российских и зарубежных университетов и научных организаций.

19.01.2017. Подведены итоги работы Института за год. Выполнялись 18 тем НИР по программе ФНИ Госакадемий; 6 проектов по Программам Президиума РАН, 12 проектов РФФИ и 3 – РНФ. Общее количество публикаций – 101, из них 73 проиндексированы в Web of Science и Scopus.


Монография утверждена к печати:
Ученым советом Института химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН,
Ученым советом Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского.

Содержание книги.
 

Высокочистое халькогенидное стекло системы As-S

Монокристаллы высокочистого моноизотопного кремния: Si-28 (99,99%), Si-29 (99,92%), Si-30 (99,97%)

Оптические элементы из высокочистого поликристаллического селенида цинка

Высокочистое халькогенидное стекло системы As-S

Монокристаллы высокочистого моноизотопного кремния: Si-28 (99,99%), Si-29 (99,92%), Si-30 (99,97%)

Высокочистое халькогенидное стекло системы As-S

Оптические элементы из высокочистого поликристаллического селенида цинка

Монокристаллы высокочистого моноизотопного кремния: Si-28 (99,99%), Si-29 (99,92%), Si-30 (99,97%)

Волоконные световоды из высокочистого кварцевого стекла

Оптические элементы из высокочистого поликристаллического селенида цинка

Высокочистое халькогенидное стекло системы As-S

Монокристаллы высокочистого моноизотопного кремния: Si-28 (99,99%), Si-29 (99,92%), Si-30 (99,97%)

Оптические элементы из высокочистого поликристаллического селенида цинка

Монокристаллы высокочистого моноизотопного кремния: Si-28 (99,99%), Si-29 (99,92%), Si-30 (99,97%)